محققان چینی به رکورد ۱۰ میلیارد چرخه نوشتن در حافظه‌های نوظهور دست یافتند

محققان چینی با روشی نوآورانه، دوام حافظه‌های فروالکتریک AlScN را به ۱۰ میلیارد چرخه نوشتن رساندند و مانعی کلیدی بر سر راه تجاری‌سازی این فناوری حافظه را برطرف کردند.

منبع: www.itna.ir

Check Also

نسل جدید گوشی باریک هواوی احتمالاً از میت ۷۰ ایر هم باریک‌تر خواهد بود

هواوی احتمالاً ماه آینده میت ۸۰ ایر را معرفی می‌کند؛ گوشی فوق‌باریکی که با حداقل …

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *